类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：3.6V
　　击穿电压（VBR）：4.0V @ 1mA
　　最大箝位电压（VC）：9.0V @ 7.5A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：300W
　　电容典型值（C）：0.45pF @ 0V, 1MHz
　　ESD 耐压：±30kV（接触放电），符合 IEC61000-4-2 Level 4
　　EFT 耐压：40A（8/20μs 波形）
　　反向漏电流（IR）：< 10nA @ 3.6V
　　引脚数：6
　　封装：DFN-6 (1.8mm x 2mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　焊接温度（峰值）：260°C

NLXT304APE.F4 具备卓越的瞬态抑制能力和极低的寄生电容，使其非常适合用于现代高速信号线路的 ESD 保护。其每个通道的电容仅为 0.45pF，在高频信号传输中几乎不会引入信号失真或衰减，因此广泛应用于 USB 2.0、HDMI、DisplayPort、MIPI、SIM 卡接口等高速数字接口。这种低电容特性得益于其采用的先进硅片工艺和优化的 PN 结结构设计，能够在保持高灵敏度的同时减少对信号完整性的干扰。
　　该器件支持双向保护机制，意味着它可以应对正向和负向的瞬态电压冲击，这在实际应用中尤为重要，因为许多瞬态事件（如 ESD 放电）可能以任意极性出现。其快速响应时间小于 1ps，能够在纳秒级时间内启动并有效地将过电压钳制在安全水平，从而避免被保护器件遭受损坏。此外，NLXT304APE.F4 的峰值脉冲功率高达 300W，能够承受多次高强度瞬态冲击而不发生性能退化或永久性失效。
　　另一个关键优势是其小型化封装 DFN-6（1.8mm x 2mm），不仅节省 PCB 面积，还具备良好的热导性能，有助于热量从芯片传导至 PCB。该封装无铅且符合 RoHS 指令要求，适用于自动化贴装工艺。器件的反向漏电流极低（<10nA），在待机或低功耗模式下不会显著增加系统功耗，适合电池供电设备使用。同时，它通过了 AEC-Q101 汽车级认证，表明其在极端温度和机械应力条件下仍能保持稳定可靠的工作性能，可用于车载信息娱乐系统或 ADAS 传感器接口等严苛环境。

NLXT304APE.F4 主要用于各类消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子系统中的高速数据线保护。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB 接口、耳机插孔、摄像头模块连接器、存储卡槽（如 microSD、SIM 卡）等易受人体静电影响的部位。在这些设备中，用户频繁插拔外设或直接触摸接口，极易引发 ESD 事件，因此必须配备高效的瞬态保护器件以提升产品可靠性与寿命。
　　在通信领域，该器件可用于 Ethernet PHY 接口、RS-485、CAN 总线等差分信号线的辅助保护，配合主级保护器件形成多级防护体系。在便携式医疗设备中，例如血糖仪、心率监测仪等，其高精度模拟前端对噪声和过压极为敏感，NLXT304APE.F4 可提供必要的电磁干扰隔离和瞬态抑制功能。
　　此外，由于其符合 AEC-Q101 标准，NLXT304APE.F4 也被广泛应用于车载电子系统，如车载导航、倒车影像输入端口、车内 USB 充电口、TPMS 数据接收模块等。在这些环境中，除了人为 ESD 外，还需应对点火噪声、负载切换引起的电压突波等问题，该器件能够有效提升系统的电磁兼容性和长期运行稳定性。

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　　 "SP3042UNAY",
　　 "RCLAMP3044N",
　　 "EMIF04-3.3V"
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