时间：2025/12/11 13:42:05
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NLV25T-R12J-EFD是一款由TDK公司生产的表面贴装功率电感器，属于NLV系列。该系列产品专为高效率、低损耗的电源应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块以及其他需要高电流和低直流电阻的场合。NLV25T-R12J-EFD采用铁氧体磁芯和绕线结构，具有良好的磁屏蔽性能，能够有效减少电磁干扰（EMI），同时提供稳定的电感值和较高的饱和电流能力。其小型化封装适合现代电子产品对空间紧凑的要求，适用于便携式设备、通信设备、消费类电子及工业控制等领域。
该型号中的“R12”表示标称电感值为0.12μH，“J”代表电感公差为±5%，“EFD”可能指特定的外形尺寸或生产批次标识。NLV25T系列在高频工作条件下表现出色，支持开关频率高达数MHz的应用环境，能够在高温和高湿环境下保持可靠运行，符合RoHS环保标准，并具备无铅焊接兼容性。
产品类型：功率电感器
封装/外壳：2525（公制）
电感值：0.12 μH
容差：±5%
直流电阻（DCR）：典型值约 3.7 mΩ
额定电流（Irms）：约 8.5 A（温升限制）
饱和电流（Isat）：约 10 A（电感下降30%）
最大直流电阻：4.5 mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
核心材料：铁氧体
安装方式：表面贴装（SMD）
感应系数稳定性：高
屏蔽类型：半屏蔽或磁屏蔽结构
NLV25T-R12J-EFD具备优异的电流处理能力和热稳定性，其低直流电阻设计显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该电感采用高性能铁氧体磁芯，能够在大电流通过时保持较缓的电感衰减曲线，从而在负载瞬变情况下仍能维持稳定的输出电压。这种特性使其特别适用于现代高性能处理器、FPGA、ASIC等需要快速动态响应的供电电路中。
器件的磁屏蔽结构有效抑制了漏磁通，减少了对外部元件的电磁干扰，有助于满足电磁兼容性（EMC）要求。此外，该电感器具有良好的高频特性，在数百kHz到数MHz的开关频率范围内均能保持较低的交流损耗，适用于同步降压、升压及多相VRM拓扑结构。
机械结构方面，NLV25T-R12J-EFD采用坚固的绕线工艺和端子设计，确保在振动和热循环条件下仍能保持可靠的电气连接。其端电极经过优化，适配回流焊工艺，可在自动化SMT生产线上实现高良率贴装。产品还具备出色的耐湿性和长期可靠性，通过了严格的环境测试，包括高温高湿偏置试验和温度循环测试，适用于严苛的工作环境。
主要用于DC-DC转换器中的储能和平滑滤波，特别是在大电流、低电压输出的应用场景下表现优异。常见于服务器主板、笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理单元。也广泛用于通信基站、网络交换设备、路由器等通信基础设施中的中间总线转换器（IBC）和负载点电源（POL）。
在工业自动化领域，该电感可用于PLC控制器、电机驱动器和工业电源模块中，提供高效且稳定的能量传输。此外，还可应用于LED照明驱动、汽车电子系统（如车载信息娱乐系统和ADAS模块）以及各类嵌入式系统中，作为关键的功率电感元件。其高频低损特性也使其成为无线充电发射端和接收端电路中的优选元件之一。
SLF12575T-R12M1R8
