时间：2025/5/29 20:11:14
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NLU1G14MUTCG 是一款高性能的单通道 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。它采用先进的制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，广泛用于电源管理、负载开关、电机驱动等应用领域。
该型号通常以表面贴装封装形式提供，具体封装为 UT-8FL，能够满足紧凑型设计的需求。
最大漏最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：2.5A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：6nC（典型值）
开关时间：ton=10ns，toff=15ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：UT-8FL
1. 低导通电阻：在典型条件下，Rds(on) 仅为 75mΩ，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力：极低的栅极电荷以及短开关时间使其非常适合高频开关应用。
3. 高电流处理能力：支持高达 2.5A 的持续漏极电流，适合多种功率级需求。
4. 宽工作温度范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内稳定运行，适应各种恶劣环境。
5. 表面贴装封装：采用 UT-8FL 封装，适合自动化生产且节省空间。
6. 静电放电保护：内置 ESD 保护电路，增强器件的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC 转换器中的功率开关
3. 电池供电设备中的负载开关
4. 便携式电子设备中的电源管理
5. 小型电机驱动控制
6. LED 照明驱动电路
7. 数据通信接口保护
NLU1G14MUTDG, NLU1G14MUTFG
