时间：2025/12/24 0:24:01
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NLSV1T34AMX1TCG 是一款高性能的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、电机驱动和信号切换等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于需要高效能和低功耗的应用场景。
该型号的 MOSFET 在栅极电压较低的情况下即可实现充分导通，因此非常适合与现代低电压逻辑电路配合使用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：35mΩ
栅极阈值电压：1V~2V
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃~150℃
NLSV1T34AMX1TCG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率转换和更低的发热。
2. 高速开关能力使得其适用于高频应用场景。
3. 栅极驱动电压兼容性好，可以与 3.3V 和 5V 的逻辑电平直接连接。
4. 小型化的封装设计有助于节省 PCB 空间。
5. 提供优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
NLSV1T34AMX1TCG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动和电磁阀控制。
5. 各类便携式电子设备中的功率管理模块。
6. 高效 LED 驱动电路。
NLSV1T34AMX1T1G,NLSS1872UMX1T1G
