NLSF3T125MNR2G是一种采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作,同时保持CMOS低功耗。NLSF3T125MNR2G要求将3态控制输入(OE)设置为高,以将输出置于高阻抗状态。T125输入与TTL电平兼容。该器件可以用作3.3 V至5.0 V接口的电平转换器,因为它具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆动。无论电源电压如何,当施加0 V至5.5 V之间的电压时,NLSF3T125MNR2G输入结构提供保护。当VCC=0 V时,输出结构也提供保护。输入和输出结构有助于防止电源电压-输入/输出电压不匹配、备用电池、热插拔等造成的设备损坏。内部电路由三个阶段组成,包括提供高抗噪性和稳定输出的缓冲输出。这些输入可承受高达7.0 V的电压,允许5.0 V系统与3.0 V系统之间的接口。
类别:集成电路(IC)
家庭:逻辑-缓冲器,驱动器,接收器,收发器
逻辑类型:缓冲器/线路驱动器,非反相
元件数:4
每个元件的位元数:1
输出电流高,低:8mA,8mA
电源电压:2 V~5.5 V
工作温度:-40℃~85℃
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-TFQFN
包装:带卷(TR)
供应商设备封装:16-QFN
其它名称:NLSF3T125MNR2GOSNLSF3T125MNR2GOS-NDNLSF3T125MNR2GOSTR
高速:VCC=5.0 V时tPD=3.8 ns(类型)
低功耗:TA=25°C时ICC=4.0 mA(最大值)
TTL?兼容输入:VIL=0.8 V;VIH=2.0 V
输入提供断电保护
平衡传播延迟
设计用于2.0 V至5.5 V工作范围
低噪声:VOLP=0.8 V(最大值)
引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
闭锁性能超过300 mA
ESD性能:
人体模型;>人体模型2000 V,机器型号;>200 V
芯片复杂性:72个FET或18个等效栅极
这些器件不含铅且符合RoHS