时间：2024/9/20 9:33:49
阅读：333
NLSF3T125MNR2G是一种采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作，同时保持CMOS低功耗。NLSF3T125MNR2G要求将3态控制输入（OE）设置为高，以将输出置于高阻抗状态。T125输入与TTL电平兼容。该器件可以用作3.3 V至5.0 V接口的电平转换器，因为它具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆动。无论电源电压如何，当施加0 V至5.5 V之间的电压时，NLSF3T125MNR2G输入结构提供保护。当VCC=0 V时，输出结构也提供保护。输入和输出结构有助于防止电源电压-输入/输出电压不匹配、备用电池、热插拔等造成的设备损坏。内部电路由三个阶段组成，包括提供高抗噪性和稳定输出的缓冲输出。这些输入可承受高达7.0 V的电压，允许5.0 V系统与3.0 V系统之间的接口。
类别：集成电路(IC)
家庭：逻辑-缓冲器，驱动器，接收器，收发器
逻辑类型：缓冲器/线路驱动器，非反相
元件数：4
每个元件的位元数：1
输出电流高，低：8mA,8mA
电源电压：2 V~5.5 V
工作温度：-40℃~85℃
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-TFQFN
包装：带卷(TR)
供应商设备封装：16-QFN
其它名称：NLSF3T125MNR2GOSNLSF3T125MNR2GOS-NDNLSF3T125MNR2GOSTR
高速：VCC=5.0 V时tPD=3.8 ns（类型）
低功耗：TA=25°C时ICC=4.0 mA（最大值）
TTL?兼容输入：VIL=0.8 V；VIH=2.0 V
输入提供断电保护
平衡传播延迟
设计用于2.0 V至5.5 V工作范围
低噪声：VOLP=0.8 V（最大值）
引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
闭锁性能超过300 mA
ESD性能：
人体模型；>人体模型2000 V，机器型号；>200 V
芯片复杂性：72个FET或18个等效栅极
这些器件不含铅且符合RoHS
