工作频率范围：1.7 GHz 至 4.2 GHz
　　增益：约 19 dB（典型值）
　　噪声系数：约 0.85 dB（典型值，在2.5 GHz时）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：约 +12 dBm（典型值）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：约 +31 dBm（典型值）
　　工作电压范围：3.0 V 至 5.5 V
　　静态电流：可调，典型设置下约为 65 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω（内部匹配）
　　封装类型：2 × 2 mm DFN-8 封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　关断电流：低于 10 μA（关断模式）

NLP2042M-19CB2G具备优异的射频性能，其核心优势之一是在1.7 GHz至4.2 GHz宽频带范围内实现了高达19 dB的增益和低于0.85 dB的极低噪声系数，这使其成为高性能接收前端的理想选择。在现代无线通信系统中，尤其是5G NR频段（如n77、n78、n79）以及4G LTE高级部署中，接收机灵敏度至关重要，而低噪声系数直接提升了系统的信噪比，从而增强信号解调能力和覆盖范围。该器件采用硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）技术，不仅保证了高频响应能力，还提供了出色的增益平坦度和温度稳定性。在整个工作频段内，增益波动控制在±0.5 dB以内，确保了多频段应用中的信号一致性。
　　该LNA具有出色的线性性能，其输入三阶交调截点（IIP3）达到+12 dBm以上，能够在强干扰信号存在的情况下有效抑制互调失真，避免有用信号被淹没。这对于部署在密集城区或共址多系统环境中的基站尤其重要。同时，输出三阶交调截点（OIP3）高达+31 dBm，表明其具备较强的输出驱动能力和动态范围，适合直接驱动后级混频器或ADC。此外，器件支持可调偏置功能，通过外部电阻或电压控制可以灵活调节偏置电流，从而在低功耗模式与高性能模式之间进行权衡，满足绿色通信和能效优化的需求。
　　NLP2042M-19CB2G集成了输入和输出匹配网络，减少了对外部元件的依赖，显著降低了设计复杂度和PCB面积占用。它还内置直流隔离电容，支持交流耦合输入输出，提高了系统集成的灵活性。DFN-8封装具有优良的散热性能和高频寄生参数控制能力，配合推荐的PCB焊盘布局，可实现最佳的射频性能。该器件还具备快速开关能力，支持TDD系统中的时隙开关操作，并可在关断模式下将电流消耗降至10 μA以下，有助于延长电池供电设备的使用寿命或降低基站能耗。

NLP2042M-19CB2G主要应用于高性能无线通信基础设施中，尤其是在5G宏基站、小型基站（Small Cell）、远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中作为接收链路的第一级低噪声放大器。其宽频带特性使其能够覆盖多个主流5G频段，包括3.3 GHz至4.2 GHz范围内的n77和n78频段，适用于全球范围内部署的5G网络。此外，该器件也广泛用于点对点微波通信系统、固定无线接入（FWA）终端、CPE设备以及测试测量仪器中，作为前端射频信号放大模块的关键组件。
　　在企业级Wi-Fi 6E和未来Wi-Fi 7接入点中，当工作频率进入6 GHz以下频段时，NLP2042M-19CB2G也可用于提升接收灵敏度。其高线性度和低噪声特性同样适用于雷达传感器、工业物联网网关和航空通信设备等专业领域。由于其具备良好的抗干扰能力和稳定性，该LNA还可用于多频段多模基站收发信机中，作为通用型射频前端解决方案。此外，在卫星通信地面站和无线回传链路中，该芯片可用于增强弱信号接收能力，提高链路预算余量。得益于其小尺寸封装和高集成度，NLP2042M-19CB2G非常适合空间受限但性能要求严苛的应用场景。

NLSX2042M19CB2G
　　NLML2042M19CB2G
　　PGA103BB
　　LMSS122CH