类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同的工作条件）
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C

NLN04D04G的主要特性包括高电流增益、低噪声系数和优异的高频响应。该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，具体数值取决于工作电流和电压条件。这种灵活性使其适用于多种放大器设计场景。NLN04D04G在高频操作下表现出色，支持高达100MHz的工作频率，因此非常适合用于射频放大器和高频开关电路。
　　此外，NLN04D04G具备较低的噪声系数，这使其在低噪声放大器设计中表现出色。例如，在射频接收器前端，该晶体管能够有效放大微弱信号，同时最大限度地减少噪声干扰，从而提高信号的清晰度和稳定性。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下稳定工作。其工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在各种环境条件下保持性能稳定。这种热稳定性对于工业级应用和汽车电子系统尤为重要。
　　封装方面，NLN04D04G采用小型化封装技术，节省了电路板空间，同时提供了良好的机械强度和电气连接性能。这种紧凑的封装设计使其适用于便携式电子设备和高密度电路设计。

NLN04D04G主要用于射频（RF）放大器、低噪声放大器、高频开关电路以及通用放大电路。它在通信设备、无线传感器、音频放大器和汽车电子系统中具有广泛的应用前景。
　　在通信设备中，NLN04D04G用于射频信号放大，以确保信号的稳定传输和高质量接收。例如，在无线基站和射频接收器中，该晶体管能够有效放大高频信号，同时保持较低的噪声水平，从而提高通信系统的整体性能。
　　在无线传感器和物联网（IoT）设备中，NLN04D04G的低噪声特性和小型化封装使其成为理想的选择。它能够放大传感器采集的微弱信号，同时减少噪声干扰，从而提高数据采集的准确性。
　　此外，NLN04D04G还广泛应用于音频放大器设计，特别是在前置放大器中。其高增益特性和低噪声性能使其能够放大音频信号，同时保持音质的清晰度和细腻度。

BC547, 2N3904