产品类型：固定电感器
　　电感值：1000nH (1.0μH)
　　电感公差：±10%
　　自谐振频率(SRF)：典型值约1.8GHz（具体以数据手册为准）
　　直流电阻(DCR)：最大约0.32Ω
　　额定电流：约250mA（基于温升或Irms指标）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1008（公制：2520，即2.5mm x 2.0mm）
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　端接类型：金属电极，兼容回流焊
　　屏蔽类型：无磁屏蔽（属绕线型或叠层陶瓷结构）
　　Q值：高频下表现优异，在百MHz级别可达数十以上

NLFV32T-102K-EF作为TDK NLFV系列的一员，采用了多层陶瓷与内部导体交叉堆叠的先进工艺，实现了在小型化封装内兼顾高电感值与高频性能的平衡。其核心优势在于高Q值特性，这使得它在射频选频网络中能有效降低信号损耗，提高滤波器的选择性与放大器的效率。相较于传统铁氧体材料电感，该器件使用非磁性介质材料，避免了磁饱和问题，同时具备更稳定的温度系数和更低的电磁干扰辐射。
　　该电感器具有较低的直流电阻（DCR），有助于减少功率损耗，特别适用于对功耗敏感的便携式无线设备，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。此外，其自谐振频率较高，确保在GHz以下频段仍能保持良好的电感行为，不会因寄生电容过早引起阻抗失真。这种特性使其非常适合用于匹配网络、LC振荡器、低通/带通滤波器以及天线调谐电路。
　　机械结构上，NLFV32T-102K-EF采用坚固的陶瓷基体和全表面金属化端子，具备优良的耐热冲击能力和焊接可靠性。经过严格的老化测试与环境适应性验证，能够在高温高湿环境中长期稳定工作。生产过程中遵循无铅回流焊规范，兼容现代绿色电子制造流程。由于其高度标准化的外形尺寸和电气参数，工程师可以方便地将其集成到高频PCB设计中，并通过仿真工具精确建模其阻抗响应曲线，从而优化整体系统性能。

NLFV32T-102K-EF主要用于高频模拟和射频电路设计领域。常见应用场景包括移动通信设备中的功率放大器输出匹配网络、天线阻抗调谐电路、双工器和滤波器模块。在无线局域网（Wi-Fi 2.4GHz/5GHz）模块中，该电感可用于构建LC滤波结构以抑制杂散发射并增强接收灵敏度。蓝牙BLE模块、Zigbee收发器以及NFC近场通信系统的前端匹配网络也常采用此类高性能电感来确保信号完整性。
　　此外，该器件适用于各类射频识别（RFID）读写器、GPS/GNSS定位模块以及蜂窝物联网（如NB-IoT、LTE-M）终端设备。在这些应用中，NLFV32T-102K-EF不仅承担基本的储能与滤波功能，还参与构成谐振回路，影响整个系统的频率响应特性与传输效率。由于其小型化封装，特别适合用于紧凑型模块化设计，例如M.2或LGA封装的通信模组。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等设备的射频前端模组（FEM）中，该电感被广泛用于连接PA、LNA与天线开关之间的匹配网络。工业级应用方面，也可用于医疗无线监测设备、远程传感器节点和无人机通信链路中，提供可靠的高频信号处理支持。总之，凡涉及GHz以下频段的射频能量传输、阻抗变换与噪声抑制场景，NLFV32T-102K-EF均是一个理想选择。

NLFV32T-102K-RF
　　NLP18T102KBF
　　NLM18T-102K-EF