产品系列：NLF
　　封装尺寸：4.5mm x 3.2mm x 3.2mm
　　电感值：2.2 μH
　　电感公差：±20%
　　直流电阻（DCR）：典型值约36.5 mΩ
　　额定电流（Irms）：约850 mA（温升40°C）
　　饱和电流（Isat）：约1.3 A（电感下降30%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　最大工作电压：根据应用环境而定
　　核心材料：金属合金复合磁芯
　　屏蔽类型：全屏蔽结构
　　安装方式：表面贴装（SMD）

NLF453232T-2R2M采用先进的金属合金粉末压制技术，构建了高性能的磁芯结构，这种材料不仅具备高磁导率，还拥有出色的抗饱和能力。当电路中出现瞬态大电流冲击时，该电感能够有效抑制磁芯饱和现象的发生，从而维持电感值的稳定性，保障电源回路的正常工作。相比传统的铁氧体磁芯电感，金属合金磁芯在高电流密度下表现更优，能够承受更高的能量存储需求，特别适用于动态负载变化频繁的应用场景。
　　该器件具有极低的直流电阻（DCR），典型值仅为36.5mΩ左右，显著降低了在大电流通过时产生的I2R损耗，提高了电源系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，可以延长续航时间并减少发热问题。此外，低DCR还有助于改善热管理设计，使得在高功率密度布局中无需额外增加散热措施即可安全运行。
　　全屏蔽结构设计是该电感的一大亮点，它有效限制了磁场泄漏，减少了对邻近敏感元件的电磁干扰（EMI），满足严格的EMC标准要求。这使得NLF453232T-2R2M非常适合用于高频开关电源中，尤其是在射频模块、Wi-Fi模组或蓝牙设备附近使用时，不会引起信号失真或噪声增加。
　　其小型化尺寸（4.5×3.2×3.2mm）结合SMD表面贴装工艺，便于自动化贴片生产，提升了组装效率与良率。同时，器件经过严格的环境测试验证，可在-55°C至+155°C宽温范围内稳定工作，具备良好的耐湿性和机械强度，适用于严苛工业和车载环境。

NLF453232T-2R2M广泛应用于各类需要高效能、小体积功率电感的场合。在移动终端设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常被用作主控芯片或PMU（电源管理单元）的DC-DC降压转换器中的储能元件，支持多路电压输出的电源架构。由于其高饱和电流和低损耗特性，能够满足处理器在高低功耗模式间快速切换时的动态响应需求。
　　在通信基础设施领域，该电感可用于基站模块、光模块电源、路由器和交换机中的隔离型或非隔离型电源电路，提供稳定的能量传输路径。其优异的EMI性能确保不会影响高速数据链路的完整性。
　　此外，在工业控制和自动化系统中，例如PLC控制器、传感器供电模块、电机驱动板卡上，NLF453232T-2R2M也发挥着关键作用。它能够在宽温、高振动环境下长期可靠运行，适应恶劣工况。
　　在汽车电子方面，该器件适用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块、车身控制模块等12V/24V电源系统中的降压变换器，符合AEC-Q200可靠性标准的部分要求，具备较强的抗干扰能力和温度适应性。

NLC453232T-2R2M
　　NXH453232T-2R2N
　　SLF453232T-2R2M