时间：2025/6/18 9:22:11
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NL17SZ126DFT2G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频开关晶体管，属于 Nexperia 公司的 GaN FET 系列产品。该器件采用 DFN 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，专为高功率密度和高效率的应用场景设计。其典型应用包括适配器、充电器、DC-DC 转换器以及无线充电等。
型号：NL17SZ126DFT2G
封装：DFN8 (3x3 mm)
漏源电压(Vds)：600 V
连续漏极电流(Id)：1.6 A
导通电阻(Rds(on))：0.25 Ω
栅极电荷(Qg)：29 nC
工作温度范围：-55°C to +150°C
最大结温：175°C
NL17SZ126DFT2G 的主要特性包括：
1. 基于先进的氮化镓技术，提供卓越的高频性能和低开关损耗。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，确保高效运行。
3. 高耐压能力 (600V)，使其适合高压应用环境。
4. 支持高达 1.6A 的连续漏极电流，满足多种功率转换需求。
5. 小型 DFN8 封装，节省 PCB 空间并简化散热设计。
6. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，适用于严苛环境下的操作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
NL17SZ126DFT2G 主要应用于以下领域：
1. 消费电子中的快充适配器和充电器。
2. 高效 DC-DC 转换器，例如服务器电源和通信设备电源。
3. 无线充电解决方案，提升充电效率和速度。
4. LED 驱动器和汽车电子系统中的辅助电源模块。
5. 工业自动化设备中的开关电源单元。
6. 其他需要高频率、高效率和小尺寸设计的功率转换应用场景。
NL17SZ126DFS2G, NL17SZ126DWT2G
