NK7002C 时间：2025/8/2 5:21:50 阅读：41

NK7002C是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关和放大应用。它以其高性能、低导通电阻和高可靠性而闻名，适用于多种电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：100mA
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

NK7002C具有低导通电阻，使其在导通状态下能够高效地传导电流，减少能量损耗。其高击穿电压特性确保了在高压应用中的稳定性，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。该器件采用先进的硅栅工艺制造，确保了高频性能和快速开关特性。此外，NK7002C的封装设计使其具备良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定工作。
　　NK7002C的栅极驱动特性优化，使其能够在较低的栅极电压下实现完全导通，降低了驱动电路的设计复杂度和成本。该器件的高可靠性和长寿命使其成为工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。其优异的抗静电能力和过温保护特性也增强了器件在恶劣环境下的适应能力。