NK4953A(D) 时间：2025/8/2 4:52:54 阅读：14

NK4953A(D)是一款双N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和其他需要高效能MOSFET的场合。NK4953A(D)通常采用DFN或SOP等小型封装形式，以满足现代电子设备对空间和散热性能的要求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.3A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ（典型值）
　　功耗(PD)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN/SOP

特性

NK4953A(D)具有多项优异特性，使其在各类功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电荷(Qg)优化了开关速度，从而降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，NK4953A(D)具备良好的热稳定性，采用低热阻封装设计，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该MOSFET还具备较强的短路和过热耐受能力，提高了器件的可靠性和使用寿命。由于其双N沟道结构，NK4953A(D)非常适合用于同步整流、双向负载开关以及H桥电机驱动等应用场景。同时，其紧凑的封装形式支持高密度PCB布局，适用于便携式设备、电源适配器、工业控制系统和电池供电系统等。

应用

NK4953A(D)适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、LED驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化控制设备。由于其高效能和小型封装的特性，NK4953A(D)也广泛用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中的电源管理单元。