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NJVBDX53C 发布时间 时间:2023/10/31 9:54:13 查看 阅读:131

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 12mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大):500μA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):750 @ 3A, 3V
功率 - 最大:65W
频率 - 转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-220AB

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NJVBDX53C参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)2V @ 12mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)750 @ 3A,3V
  • 功率 - 最大65W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件