时间：2025/5/27 10:42:47
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NJJ29C2A7HN5/230是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效提升系统效率并降低功耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适合在高频条件下运行，同时具备较强的电流处理能力和耐压能力，可满足工业及消费类电子产品对高效能功率管理的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：650V
额定电流：14A
导通电阻：0.18Ω（典型值）
栅极电荷：35nC（最大值）
输入电容：1200pF
开关频率：最高可达500kHz
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，额定电压达650V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工况下仅为0.18Ω，显著降低导通损耗。
3. 快速开关特性，栅极电荷小（35nC），支持高达500kHz的工作频率。
4. 优秀的热稳定性，能够在宽温范围内可靠工作，适应各种恶劣环境。
5. 封装为标准TO-220，便于安装与散热设计。
6. 提供强大的过流保护能力，确保长期稳定运行。
7. 兼容性良好，易于集成到现有的功率电路架构中。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动中的桥臂开关。
4. 太阳能逆变器中的功率控制单元。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效能电源解决方案。
7. 电池管理系统（BMS）中的负载切换与保护功能实现。
NJD29C2A7HN5/230
NJL29C2A7HN5/230
NJM29C2A7HN5/230
