NJJ29C2A7HN5/230是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提升系统效率并降低功耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,适合在高频条件下运行,同时具备较强的电流处理能力和耐压能力,可满足工业及消费类电子产品对高效能功率管理的需求。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:650V
额定电流:14A
导通电阻:0.18Ω(典型值)
栅极电荷:35nC(最大值)
输入电容:1200pF
开关频率:最高可达500kHz
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 高耐压能力,额定电压达650V,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工况下仅为0.18Ω,显著降低导通损耗。
3. 快速开关特性,栅极电荷小(35nC),支持高达500kHz的工作频率。
4. 优秀的热稳定性,能够在宽温范围内可靠工作,适应各种恶劣环境。
5. 封装为标准TO-220,便于安装与散热设计。
6. 提供强大的过流保护能力,确保长期稳定运行。
7. 兼容性良好,易于集成到现有的功率电路架构中。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动中的桥臂开关。
4. 太阳能逆变器中的功率控制单元。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效能电源解决方案。
7. 电池管理系统(BMS)中的负载切换与保护功能实现。
NJD29C2A7HN5/230
NJL29C2A7HN5/230
NJM29C2A7HN5/230