时间：2025/5/21 20:13:45
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NJG1800NB2是一款由日本新杰特（New Japan Radio Co., Ltd.）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等需要高效能和低导通损耗的场景。
这款功率MOSFET采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高击穿电压的特点，从而能够满足多种工业和消费电子领域的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
NJG1800NB2具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中降低功率损耗。
2. 高击穿电压（Vds），确保了在高压环境下工作的可靠性。
3. 快速开关速度，适合高频应用，例如开关电源和DC-DC转换器。
4. 具备优秀的热性能，有助于提升整体系统的效率和稳定性。
5. 工作温度范围宽广，适应多种极端环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
NJG1800NB2广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的功率管理组件。
6. 各类工业控制设备中的功率级元件。
IRFZ44N, FDP5580, STP30NF06
