时间：2025/5/9 17:26:31
阅读：8
NJG1669MD7-TE1是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低能量损耗并提升系统效率。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电路中。其出色的热性能和电气特性使其在高功率密度应用场景中表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1050pF
工作温度范围：-55℃至175℃
NJG1669MD7-TE1具备低导通电阻和低栅极电荷的特点，从而减少了导通损耗和开关损耗。
它采用了TO-220封装形式，这种封装方式提供了良好的散热性能和机械稳定性。
器件的工作温度范围非常宽广，适合恶劣环境下的应用。
此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频操作，并且内置了静电保护功能以提高可靠性。
这款功率MOSFET主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及负载切换等领域。
由于其高效的开关特性和耐高压能力，也常用于工业控制设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的功率管理部分。
NJG1669MD7-TL1, IRFZ44N, FDP5570
