时间：2025/5/16 11:45:13
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NJG1655ME7-TE1 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。其封装形式为 TO-263-3，适合高电流和高效率的应用场景。
该 MOSFET 的设计使其能够在高频工作条件下保持高效性能，并且具备良好的热稳定性。同时，它还支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，从而增强了系统的可靠性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：1140pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NJG1655ME7-TE1 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适用于高频应用环境。
3. 支持大电流操作（18A 连续漏极电流），能够满足高功率需求。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应各种恶劣环境条件。
5. 封装形式为 TO-263-3，便于散热设计和安装。
6. 内置多重保护机制，确保长期稳定运行。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1.主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理与配电控制。
6. 各种需要高效功率转换和低损耗的场景。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06
