NIS5135MN4TXG 时间：2025/6/3 17:31:22 阅读：3

NIS5135MN4TXG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效率电源转换和负载切换应用。
　　该器件封装为 PQFN 封装（4x4mm），引脚数量为 8 引脚，适合表面贴装技术（SMT）。其主要特点是能够提供高效的功率传输和良好的热性能，同时具备出色的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：3.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：7nC（典型值）
　　开关时间：t_d(on)=6ns，t_d(off)=12ns（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PQFN (4x4mm)
　　湿度敏感等级：MSL 3

特性

NIS5135MN4TXG 具有以下显著特性：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)）可最大限度地减少传导损耗，从而提高系统效率。
　　2. 高速开关能力使其非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和多相控制器。
　　3. 提供了坚固的 ESD 和雪崩保护功能，增强了器件在恶劣环境中的可靠性。
　　4. 符合 RoHS 标准，确保环保合规。
　　5. 紧凑的封装设计节省了 PCB 布局空间，简化了散热管理。
　　6. 工作温度范围广，支持多种极端条件下的稳定运行。

应用

NIS5135MN4TXG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 同步整流器电路中的高效整流元件。
　　3. 多相控制器中的功率级 MOSFET。
　　4. 电池供电设备中的负载开关。
　　5. 电机驱动电路中的功率控制元件。
　　6. 电信和网络设备中的辅助电源模块。
　　7. LED 驱动器和其他需要低功耗和高效率的应用场景。