NIS5135MN4TXG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效率电源转换和负载切换应用。
该器件封装为 PQFN 封装(4x4mm),引脚数量为 8 引脚,适合表面贴装技术(SMT)。其主要特点是能够提供高效的功率传输和良好的热性能,同时具备出色的可靠性和耐用性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3.9A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
栅极电荷:7nC(典型值)
开关时间:t_d(on)=6ns,t_d(off)=12ns(典型值)
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:PQFN (4x4mm)
湿度敏感等级:MSL 3
NIS5135MN4TXG 具有以下显著特性:
1. 超低导通电阻(Rds(on))可最大限度地减少传导损耗,从而提高系统效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、同步整流器和多相控制器。
3. 提供了坚固的 ESD 和雪崩保护功能,增强了器件在恶劣环境中的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,确保环保合规。
5. 紧凑的封装设计节省了 PCB 布局空间,简化了散热管理。
6. 工作温度范围广,支持多种极端条件下的稳定运行。
NIS5135MN4TXG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及 AC-DC 转换器中的功率开关。
2. 同步整流器电路中的高效整流元件。
3. 多相控制器中的功率级 MOSFET。
4. 电池供电设备中的负载开关。
5. 电机驱动电路中的功率控制元件。
6. 电信和网络设备中的辅助电源模块。
7. LED 驱动器和其他需要低功耗和高效率的应用场景。
NTR4135N4T1G, FDP16N03L, IRF7413TRPBF