类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.3A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：38mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：55mΩ
　　功率耗散（Pd）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP

NIS04D3N9TR的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。其沟槽式MOSFET结构优化了电流传输路径，从而增强了器件的导电性能。
　　此外，该器件支持高达±20V的栅极电压，使其在不同的驱动条件下都能保持稳定工作。其在Vgs=10V和Vgs=4.5V下的Rds(on)值分别低至38mΩ和55mΩ，这表明其在低电压驱动条件下仍能维持良好的导通性能，适用于多种电源管理应用。
　　NIS04D3N9TR的TSOP封装不仅减小了PCB布局空间，还提高了散热性能，适合用于紧凑型设计中。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，可在恶劣的工作环境下可靠运行。
　　另一个显著特点是其较低的栅极电荷（Qg），这有助于降低开关损耗，使器件在高频开关应用中表现优异。这使得NIS04D3N9TR非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等需要快速切换的电路中。
　　由于其高耐用性和优异的性能，NIS04D3N9TR在工业控制、消费类电子、通信设备和汽车电子等多个领域均有广泛应用。

NIS04D3N9TR广泛应用于多个高性能电源管理系统中。在DC-DC转换器中，它可用于高侧或低侧开关，实现高效的电压转换。在负载开关电路中，它可以作为控制电源通断的高效开关元件，适用于电池供电设备的电源管理。
　　该器件也可用于电机驱动电路，特别是在需要低导通损耗和高频率操作的场合。在同步整流器中，NIS04D3N9TR能够有效替代传统二极管整流器，提高整流效率并减少发热。
　　此外，NIS04D3N9TR还适用于各种电源管理模块，如电源适配器、充电器、UPS系统以及LED驱动器等。其小型化封装和高性能特性也使其成为便携式电子产品和空间受限设计的理想选择。
　　在汽车电子应用中，该器件可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及其他需要高可靠性和高效率的电子模块。

Si4440BDY, FDS4410A, NDS355AN, IRF7404