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NIF9N05CLT1G 发布时间 时间:2025/6/9 18:35:37 查看 阅读:3

NIF9N05CLT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 沣道整流二极管。它属于 Fast Recovery 整流二极管 系列,具有快速恢复时间和低正向压降的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能整流的电路。
  该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,具有较高的电流处理能力和良好的散热性能,适合表面贴装工艺。

参数

最大正向电流:9A
  峰值反向电压:50V
  正向电压:1.1V(典型值,IF=9A)
  反向恢复时间:35ns(典型值)
  结电容:18pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  功耗:40W

特性

NIF9N05CLT1G 具有以下显著特性:
  1. 快速恢复时间:仅为 35ns,有助于减少开关损耗并提高高频应用中的效率。
  2. 低正向压降:在大电流条件下保持较低的正向电压,从而降低功率损耗。
  3. 高温稳定性:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定工作。
  4. 表面贴装封装:TO-252 (DPAK) 封装形式使其易于自动化生产,并具备优良的散热能力。
  5. 可靠性高:经过严格的质量控制和测试,确保在各种恶劣环境下的可靠性。

应用

NIF9N05CLT1G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流二极管。
  2. DC-DC 转换器中的高频整流。
  3. 电机驱动电路中的续流保护。
  4. 工业电源模块中的高频整流应用。
  5. 其他需要高性能整流功能的电子设备中。

替代型号

NTE5622
  FGR10T06
  MBR940CT1G

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NIF9N05CLT1G参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)59V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 35V
  • 功率 - 最大1.69W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NIF9N05CLT1GOSNIF9N05CLT1GOS-NDNIF9N05CLT1GOSTR