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NIF9N05CL 发布时间 时间:2025/6/14 17:35:55 查看 阅读:4

NIF9N05CL 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要设计用于高频开关应用和功率转换场景。该器件采用 TO-263 封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点。
  该 MOSFET 适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理模块,例如 DC-DC 转换器、电源适配器以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:13nC
  开关速度:典型值为 8ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

NIF9N05CL 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在大电流条件下减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压允许其在较高电压条件下安全运行。
  4. 热稳定性强,可在较宽的工作温度范围内正常工作。
  5. 提供优异的电磁兼容性能,降低干扰影响。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无害。

应用

NIF9N05CL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电池充电器
  3. 电机控制与驱动
  4. LED 驱动器
  5. 通信电源系统
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块
  由于其出色的电气特性和封装可靠性,该器件成为众多高性能功率转换应用的理想选择。

替代型号

NTR9N05L, IRFZ44N, FDP097N05S

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