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NIF62514T3G 发布时间 时间:2025/5/30 19:00:31 查看 阅读:6

NIF62514T3G 是一款 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管(IGBT),由知名半导体制造商 Infineon 生产。该器件采用 TO-247 封装,广泛用于高功率开关应用,例如工业驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电机控制等领域。
  这款 IGBT 具有低导通损耗和快速开关性能,能够满足高效功率转换的需求。其出色的耐用性和可靠性使其非常适合要求严苛的工业和汽车环境。

参数

最大集电极电流:80A
  最大集射极电压:1200V
  最大栅射极电压:±20V
  总功耗:450W
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  导通压降(Vce(sat)):1.8V(典型值,@Ic=40A)
  关断时间(t_f):130ns(典型值)
  开通时间(t_r):85ns(典型值)

特性

NIF62514T3G 的设计结合了高性能和高可靠性:
  1. 高击穿电压能力(1200V),适合高压应用场景。
  2. 极低的饱和电压 Vce(sat),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度降低了开关损耗,提升了动态性能。
  4. 优化的短路耐受能力,增强了器件在异常情况下的保护性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设备。
  6. 提供优异的热稳定性和电气稳定性,适应宽温范围的工作条件。

应用

NIF62514T3G 广泛应用于需要高效功率转换和开关的场景中,包括但不限于:
  1. 工业电机驱动与控制系统。
  2. 新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统。
  3. 不间断电源(UPS)系统。
  4. 电动汽车充电站及车载充电设备。
  5. 焊接设备和感应加热装置。
  6. 高频开关电源和其他大功率转换电路。

替代型号

FGH40N120MD
  IRGB40B12DPBF
  FF200R12KE3
  CMF45TB120

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NIF62514T3G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列HDPlus™
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻90 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道-
  • 电流 - 峰值输出6A
  • 电源电压-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)