频率范围（RF/LO）: 2.5 GHz - 17.5 GHz
　　频率范围（IF）: DC - 3 GHz
　　转换损耗: 8.5 dB（典型值）
　　输入三阶交调截点（IIP3）: +20 dBm
　　本地振荡驱动电平: +17 dBm
　　端口隔离度（RF-LO）: 35 dB（典型值）
　　工作温度范围: -55°C 至 +85°C
　　封装形式: 表面贴装（SMD）
　　阻抗: 50 Ω

NHP-175+ 混频器采用双平衡结构设计，具备出色的端口隔离性能，其中 RF 与 LO 端口之间的隔离度典型值达到 35 dB，有效减少了信号之间的相互干扰。其转换损耗为 8.5 dB 左右，属于高性能混频器中的典型范围，适用于对信号损耗要求不高的高端通信系统。
　　此外，该混频器的输入三阶交调截点（IIP3）高达 +20 dBm，表明其具有优异的线性性能，能够处理较强的输入信号而不容易产生失真，适合用于高动态范围的接收系统。NHP-175+ 所需的本地振荡驱动功率为 +17 dBm，这一功率水平相对较高，表明其适用于有较强 LO 驱动能力的系统中。
　　在封装方面，NHP-175+ 采用表面贴装（SMD）封装，便于集成到现代高频 PCB 设计中，并且其工作温度范围宽达 -55°C 至 +85°C，适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。

NHP-175+ 主要应用于高性能射频与微波通信系统中，包括但不限于无线基站、微波回传系统、雷达接收机、频谱分析仪、信号发生器等测试设备。其高线性度和良好隔离性能使其成为需要精确频率转换和低干扰的系统中不可或缺的组件。
　　在测试测量设备中，NHP-175+ 常被用于构建宽频带下变频模块，将高频信号转换为中频信号进行处理和分析。同时，由于其支持 DC 至 3 GHz 的中频输出范围，该混频器也适用于直接下变频至基带的应用场景。
　　此外，该器件还广泛用于科研实验、卫星通信和军事电子系统中，作为关键的频率转换元件。

SRA-175+, MCA-175+, ZAD-175+