NHI350AM2 时间：2025/10/30 0:16:19 阅读：18

NHI350AM2是一款由NHI（南京半导体器件研究所）推出的高压、大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块，广泛应用于工业控制、电力电子变换装置以及新能源领域。该模块采用先进的沟槽栅技术和场截止（Field Stop）结构设计，能够在高开关频率下实现低导通损耗和低开关损耗的平衡，从而提高系统整体效率。NHI350AM2通常封装于工业级模块封装中，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合在恶劣工作环境下长期运行。该器件集成了续流二极管（FWD），构成完整的桥臂单元，常用于三相逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热、电机驱动等功率转换系统中。
　　该模块额定电压为1200V，额定电流为350A，适用于中等至高功率等级的应用场景。其内部结构优化了载流子分布，有效降低了拖尾电流，提升了关断速度并减少了电磁干扰（EMI）。此外，NHI350AM2具有较高的短路耐受能力，配合适当的驱动电路可实现快速保护响应，提升系统的安全性和稳定性。该模块还具备较低的热阻特性，有助于热量从芯片传导至散热器，延长使用寿命。

参数

型号：NHI350AM2
　　类型：IGBT模块
　　额定电压（VCES）：1200V
　　额定电流（IC @ 25°C）：350A
　　最大结温（Tj max）：150°C
　　栅极阈值电压（VGE(th)）：5.0 ~ 7.0V
　　饱和导通电压（VCE(sat) @ IC=350A, VGE=15V）：≤2.1V
　　输入电容（Cies）：约4800pF
　　输出电容（Coes）：约1100pF
　　反向恢复时间（trr）：≤50ns
　　隔离电压（Viso）：≥2500VAC
　　安装孔径：M6
　　封装形式：平板式模块（Press-fit or Bolt-down）

特性

NHI350AM2的核心技术基于先进的沟槽栅与场截止（Trench-and-Field-Stop）IGBT结构，这种设计显著改善了传统平面型IGBT在高电压阻断能力和低导通压降之间的权衡问题。通过引入深沟槽刻蚀工艺和薄硅片技术，器件在保持1200V高击穿电压的同时，实现了更低的VCE(sat)，典型值低于2.1V，在满载条件下大幅降低导通损耗，提高能效。同时，场截止层能够有效抑制少数载流子的扩散深度，减少关断时的拖尾电流，从而降低开关损耗，尤其是在高频PWM调制应用中表现优异。
　　该模块内置高性能快速恢复二极管（FRD），其反向恢复特性经过优化，具有软恢复行为，可减少电压过冲和振荡，降低EMI风险。二极管的反向恢复时间trr控制在50ns以内，并且反向恢复电荷Qrr较小，进一步提升了整体效率。此外，模块采用陶瓷基板（Al2O3或AlN）与铜底板结构，具备优良的热传导性能和长期热循环稳定性，确保在频繁启停或负载波动情况下仍能可靠运行。
　　电气隔离方面，NHI350AM2支持高达2500VAC的绝缘耐压，满足工业设备的安全标准要求，适用于需要加强绝缘的场合。其引出端子布局合理，便于母线排连接，减少杂散电感，有利于提高开关过程中的电压均衡性。模块还可选配NTC温度传感器，用于实时监测内部芯片温度，实现精准的热管理和故障预警功能。整体而言，该器件在功率密度、效率、可靠性和安全性之间达到了良好平衡，是现代中功率变频系统的理想选择之一。

应用

NHI350AM2主要应用于各类中高功率电力电子变换系统，尤其适合对效率、可靠性和紧凑性有较高要求的工业与能源设备。在通用变频器领域，该模块常被用作三相逆变桥的主开关元件，驱动交流异步电机或永磁同步电机，广泛服务于风机、水泵、压缩机等节能调速系统。由于其具备良好的动态响应能力和较强的过载承受能力，特别适用于重载启动和频繁变速工况。
　　在新能源发电系统中，如光伏逆变器和储能变流器（PCS），NHI350AM2可用于DC-AC转换环节，在10kW至50kW功率范围内表现出色。其低损耗特性有助于提升整机效率，满足日益严格的能效认证标准（如IEC 61683、GB/T 19964）。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该模块可在双变换在线式架构中承担逆变和整流双重角色，保障关键负载的持续供电。
　　其他典型应用场景还包括感应加热电源、电焊机、电动汽车充电桩（尤其是直流快充中的PFC和DC-DC级）、铁路牵引辅助电源等。在这些应用中，NHI350AM2凭借其高耐压、大电流输出能力和稳定的热性能，能够胜任复杂电磁环境下的长时间连续运行需求。此外，其标准化封装也便于模块化设计和批量生产，缩短产品开发周期。