NHE524TU-HF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大和开关应用设计,具有良好的高频响应和低噪声特性,适用于无线通信、射频(RF)电路、音频放大器以及其他需要高性能晶体管的电子系统。NHE524TU-HF 采用 SOT-23 封装形式,具备良好的热稳定性和可靠性,符合 RoHS 环保标准。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
频率响应(fT):100MHz
电流增益(hFE):110 - 800(根据等级划分)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
NHE524TU-HF 晶体管具有优异的高频性能,适用于需要较高切换速度和放大能力的电路。其高频截止频率(fT)可达100MHz,使得该器件在射频和中频放大器中表现出色。此外,该晶体管的 hFE(电流增益)范围较宽,从110到800不等,根据不同的等级划分,能够满足多种放大电路的需求。
该晶体管的封装形式为 SOT-23,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,并具备良好的散热性能。其最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为30V,适用于一般低功率开关和信号放大应用。
由于其低噪声系数和稳定的电流增益表现,NHE524TU-HF 常用于音频前置放大器、射频接收器前端电路、数字开关电路以及传感器信号调理电路中。此外,该器件的可靠性高,工作温度范围广,适用于工业级和汽车电子应用环境。
NHE524TU-HF 主要应用于以下领域:
射频(RF)放大器:用于无线通信系统中的中频或射频信号放大,提供良好的高频响应和低噪声性能。
音频放大电路:作为音频前置放大器使用,适用于低噪声音频信号放大需求。
数字开关电路:用于逻辑电路中的晶体管开关应用,如微控制器控制的负载开关、LED驱动等。
传感器信号调理:在传感器接口电路中用于信号放大和缓冲,提高信号采集的稳定性和精度。
工业控制与汽车电子:凭借其宽工作温度范围和高可靠性,广泛应用于工业自动化控制电路和汽车电子模块中。
2N3904, BC547, PN2222A