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NHE520SR-N 发布时间 时间:2025/12/28 16:32:41 查看 阅读:12

NHE520SR-N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管主要用于通用开关和放大电路应用。由于其具备较高的电流增益和良好的频率响应特性,NHE520SR-N广泛应用于工业控制、电源管理和消费电子设备中。该器件采用TO-92封装形式,具有紧凑的体积和良好的热稳定性。

参数

类型:NPN型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极-基极电压(VCBO):50V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  电流增益(hFE):110 至 800(根据档位不同)
  过渡频率(fT):100MHz
  封装类型:TO-92

特性

NHE520SR-N晶体管具有多项优异特性,适用于多种电子电路设计需求。首先,其高电流增益(hFE)范围在110至800之间,具体取决于器件的分档等级,这使得它能够适应不同的放大和开关应用场景。该晶体管的最大集电极电流为100mA,能够支持中等功率电路的操作。
  其次,NHE520SR-N的工作电压范围较宽,集电极-发射极最大电压为30V,集电极-基极最大电压为50V,发射极-基极电压为5V,这使其在多种电源配置下都能稳定工作。此外,其过渡频率(fT)高达100MHz,表明它可以在高频条件下保持良好的性能,适用于射频和高速开关电路。
  该晶体管采用TO-92封装,具有良好的热稳定性和机械强度,同时便于手工焊接和PCB布局。最大功耗为300mW,在正常工作条件下无需额外散热器即可满足散热需求。NHE520SR-N的工作温度范围为-55°C至+150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级应用。
  此外,NHE520SR-N的制造工艺符合RoHS环保标准,适用于现代电子设备的绿色设计要求。

应用

NHE520SR-N晶体管广泛应用于多个领域。在工业自动化控制中,它常用于继电器驱动、传感器信号放大和逻辑电平转换等电路。由于其良好的频率响应特性,NHE520SR-N也适用于音频放大器前置级、射频放大模块和小型信号处理电路。
  在消费电子产品中,该晶体管可用于LED驱动、电源开关控制、电池管理系统和小型马达控制电路。例如,在玩具、遥控器和便携式电子设备中,NHE520SR-N可以作为开关元件使用,控制负载的通断。
  此外,NHE520SR-N还适用于教育和实验用途,是电子工程学生和爱好者进行基础电子实验的理想选择。它可以用于构建简单的放大器、振荡器、稳压器和逻辑门电路等。
  在嵌入式系统和微控制器外围电路中,NHE520SR-N可以作为缓冲器或驱动器,帮助微控制器控制高功率负载,如LED、小型继电器或电机。

替代型号

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222

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