时间：2025/9/13 21:46:14
阅读：11
NHDTA114EUF是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型MOSFET，采用Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性。该器件适用于各种中高功率应用，包括电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。NHDTA114EUF采用小型DFN1006BD封装，具有优异的散热性能，适合高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100 mA
最大漏源电压（VDS）：20 V
最大栅源电压（VGS）：12 V
导通电阻（RDS(on)）：最大1.8 Ω（在VGS=4.5V时）
栅极电荷（Qg）：3.8 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN1006BD
NHDTA114EUF MOSFET具备多项优异特性，使其在低功率开关和控制应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。
其次，该器件采用先进的Trench沟槽技术，提升了电流承载能力和热稳定性，使得在高负载条件下依然保持良好性能。
此外，NHDTA114EUF的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
其DFN1006BD封装具有优良的散热性能和小型化设计，非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。
该MOSFET还具备良好的抗静电能力和热保护性能，提升了器件在恶劣工作环境下的可靠性和使用寿命。
NHDTA114EUF广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理系统中的负载开关和电池保护电路。
2. DC-DC转换器和同步整流器，用于提高转换效率。
3. 电机驱动和继电器控制电路中的低边开关。
4. 便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）中的低功耗控制电路。
5. 工业自动化和控制系统中的信号开关和小型执行器驱动电路。
NDS355AN, BSS138, 2N7002, FDN340P
