时间：2025/7/16 14:35:28
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NH01026R10HE02 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-263（DPAK），能够有效提升散热性能，满足工业及消费电子领域对效率和可靠性的要求。
该型号主要应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等场景，因其出色的电气特性和热稳定性而受到广泛青睐。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：20nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
NH01026R10HE02 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（10mΩ），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度，得益于较小的栅极电荷（20nC），适合高频应用。
3. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下仍能稳定运行。
4. 封装形式为 TO-263，具备良好的散热性能和机械强度。
5. 内置保护机制（如过温保护和短路保护），提高了器件的鲁棒性。
NH01026R10HE02 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动电路，用于控制直流或无刷直流电机。
3. 各类负载开关，例如 USB 充电器和适配器中的开关元件。
4. 工业设备中的功率管理模块。
5. 便携式电子产品中的电池管理单元。
由于其低导通电阻和高可靠性，该器件非常适合需要高效能量转换的应用场景。
IRLZ44N, AO3400A, FDP17N10
