时间：2025/8/13 17:44:12
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NGTP25P120SFT4G是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高功率应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式为D2PAK，便于在各种电源管理应用中使用。该MOSFET适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。
类型：P沟道
漏源电压（Vds）：-120V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-25A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（最大值，典型值可能更低）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK
NGTP25P120SFT4G具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率，从而降低工作温度并提高系统可靠性。该器件的高耐压能力使其适用于高电压环境，确保在严苛条件下的稳定运行。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持性能稳定。其D2PAK封装提供了良好的散热性能，便于安装在标准的PCB上，并支持自动化装配流程。该器件还具有快速开关特性，适合高频操作，从而减小外部滤波器元件的尺寸和成本。
NGTP25P120SFT4G广泛应用于多种功率电子系统。常见的应用包括DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效功率管理的场合表现优异。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边开关，提供高效的电压转换。在电源管理系统中，它可以用于电源切换和负载隔离。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制模块。
Si4410BDY-T1-E3、IRF9Z24N、FQP27P06
