时间：2025/7/15 19:39:33
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NGTP25N120RDT4G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高电流能力的N沟道MOSFET，专为高功率开关应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），同时在高压工作条件下提供优异的开关性能和热稳定性。这款MOSFET常用于电源转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.48Ω @ Vgs=15V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
NGTP25N120RDT4G具备多项优良特性，包括低导通电阻、高击穿电压和优异的雪崩能量承受能力，使其在高电压和大电流应用中表现出色。
其采用的Trench沟槽结构有助于降低导通损耗，提高效率，同时在高频开关操作中保持良好的稳定性和较低的开关损耗。
此外，该MOSFET还具有良好的热阻性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，延长器件使用寿命。
内置的快速恢复二极管可进一步提升电路的可靠性，并减少外部元件数量，简化电路设计。
该器件符合RoHS环保标准，适用于多种工业和消费类电子应用。
NGTP25N120RDT4G广泛应用于各类高功率电子系统中，如交流-直流电源转换器、直流-直流变换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具、白色家电（如空调、洗衣机）中的马达驱动电路，以及LED照明系统等。
由于其高耐压和高电流能力，也常被用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器及储能系统中，作为主开关或同步整流器件。
在工业控制领域，它可用于PLC模块、伺服驱动器以及各种自动化设备中的功率管理单元。
此外，其优异的动态响应特性和抗干扰能力使其适用于需要频繁开关的高频电源拓扑结构中。
STP25N120FI, IXFH25N120, FGA25N120AND
