类型：N沟道 IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200 V
　　最大集电极电流（IC）：25 A（连续）
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极驱动电压：15 V
　　导通压降（VCEsat）：约 2.1 V（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　封装热阻（RthJC）：约 0.6°C/W
　　

NGTI25N120SFT4G 的关键特性之一是其高达 1200V 的集电极-发射极击穿电压，使其适用于高电压操作环境。该器件在 150°C 的最大工作温度下仍能保持稳定性能，表现出良好的热稳定性。其 TO-247 封装形式具有良好的散热能力和机械强度，便于安装和使用。
　　此外，该 IGBT 的导通压降较低，典型值为 2.1V，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备一定的短路耐受能力，提高了在高应力环境下的可靠性。其栅极驱动电压为 15V，兼容标准 IGBT 驱动电路，简化了设计和集成过程。
　　在开关性能方面，NGTI25N120SFT4G 提供了快速的开关响应，减少开关损耗，从而提高整体系统效率。它的开关损耗参数在数据手册中提供了详细的数值，便于设计人员进行功耗计算和热管理优化。

该器件广泛应用于各种高功率电力电子系统，例如工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊设备、感应加热系统和智能电网相关设备。由于其高电压和高电流能力，NGTI25N120SFT4G 特别适合需要在高电压条件下工作的电力转换系统。在电机控制应用中，它可以用于实现高效的变频器控制；在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，它可用于将直流电转换为交流电并馈入电网。此外，该 IGBT 也适用于需要高可靠性和稳定性的工业自动化和电力调节设备。

SGW25N120HD, FGA25N120D, IRGP50B60PD1