时间：2025/7/16 14:38:26
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NGTG25P90LBT4G 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体分立器件部门）生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 P-channel 技术，广泛应用于需要高电压控制的场合。其设计旨在提供低导通电阻和高效能表现，适用于多种工业、汽车以及消费类电子领域中的开关电源、电机驱动和其他负载切换应用。
该器件具有良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：-25A
导通电阻：750mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：16nC（典型值）
开关时间：ton/doff=80/70ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
NGTG25P90LBT4G 的主要特点是其高耐压能力（900V），非常适合高压应用环境。此外，该器件还具有较低的导通电阻（典型值为 750mΩ），从而减少了功率损耗并提升了整体效率。
由于采用了先进的制造工艺，该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，同时具备快速的开关速度和较低的栅极电荷。这使其在硬开关和软开关拓扑中都具有优势。
另外，该器件支持较高的持续电流（-25A），能够应对较大的负载需求。结合其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），使其成为高可靠性应用的理想选择。
NGTG25P90LBT4G 主要用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关
2. DC-DC 转换器中的高端开关
3. 电机驱动电路中的负载控制
4. 汽车电子中的负载切换
5. 工业设备中的高压控制
6. 各种过流保护和逆变器电路
该器件凭借其高电压承受能力和优秀的开关性能，特别适合需要高效率和高可靠性的系统设计。
NEXTP90T25H, IRFP9238, FDP8870
