时间：2025/5/12 19:15:58
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NGTD30T120F2WP是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件适用于高频开关应用和高效率功率转换场景，广泛用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动等领域。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和优异的热性能，从而显著提升了系统的整体效率和可靠性。
型号：NGTD30T120F2WP
类型：N-channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：180mΩ（典型值，Vgs=15V）
总功耗(Ptot)：260W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
NGTD30T120F2WP具有以下主要特性：
1. 极高的耐压能力，能够承受高达1200V的工作电压。
2. 较低的导通电阻，降低了功率损耗并提高了系统效率。
3. 高速开关性能，支持高频应用。
4. 出色的热稳定性，能够在较宽温度范围内保持稳定运行。
5. 强大的电流承载能力，峰值电流可达30A以上。
6. 紧凑且坚固的TO-247封装，便于散热和安装。
这些特性使该MOSFET非常适合高压、大电流的应用环境。
NGTD30T120F2WP广泛应用于以下领域：
1. 工业电源设计，如开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
2. 太阳能逆变器中作为关键功率开关元件。
3. 电机驱动控制，包括伺服电机和步进电机。
4. UPS（不间断电源）系统中的功率管理。
5. 电动汽车充电桩和车载充电器等新能源相关设备。
由于其高压特性和高效率表现，这款MOSFET在各类电力电子设备中表现出色。
NTD30T120F2, IRGB30B120C, FGA30T120
