时间：2025/5/13 13:11:53
阅读：6
NGTD30T120F2SWK是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效率电源转换和电机驱动应用。它属于OptiMOS?系列，封装形式为DPAK（TO-252），能够提供出色的热性能和电气性能。
这款MOSFET的耐压等级为120V，连续漏极电流高达30A（在特定条件下），使其非常适合用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域的高效能电路设计。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：48nC（典型值）
输入电容：2760pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：DPAK（TO-252）
NGTD30T120F2SWK具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，适合高频应用场合。
3. 优秀的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内保持可靠运行。
4. 内置反并联二极管，支持同步整流功能。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 小型化的DPAK封装，便于PCB布局与散热设计。
NGTD30T120F2SWK适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器设计。
IRL30SD120PBF, FDP18N12A, STP30NF12W
