时间：2025/7/10 6:50:43
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NGTD28T65F2SWK是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）结构设计。该器件专为高频、高效能应用而优化，具有低导通电阻和快速开关特性。
与传统的硅基MOSFET相比，这款氮化镓晶体管在开关频率、导通损耗以及热性能方面表现更加出色，适用于电源管理、适配器、快充设备以及其他高效率需求的应用场景。
额定电压：650V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：1350pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-4L
NGTD28T65F2SWK具备以下显著特性：
1. 高开关频率：支持高达数MHz的工作频率，能够有效减小磁性元件体积，降低系统成本。
2. 极低导通电阻：4.5mΩ的导通电阻确保了较低的传导损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关能力：得益于其低栅极电荷设计，器件可实现更快的开启和关断时间，进一步减少开关损耗。
4. 热稳定性强：工作结温可达175°C，适应高温环境下的稳定运行。
5. 可靠性高：采用坚固的氮化镓材料，抗辐射能力强，长期使用仍保持良好性能。
NGTD28T65F2SWK广泛应用于各种需要高效率和高频工作的电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动汽车充电器
3. 工业电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 数据中心电源模块
6. USB-C快充适配器
这些应用均依赖于其高效的能量转换能力和紧凑的设计优势。
NGTD28T65F2SWSK
GXT28T65F2SWK
