时间：2025/4/29 13:52:07
阅读：2
NGTD14T65F2SWK 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料的 MOSFET 芯片，由知名半导体制造商设计和生产。该器件采用先进的制造工艺，具有高效率、低损耗和高耐压的特点，适用于高频开关电源、电动汽车逆变器、工业电机驱动等场景。
此芯片结合了 SiC 的优异性能，能够提供比传统硅基器件更高的功率密度和更优的热管理能力。
类型：MOSFET
材料：碳化硅 (SiC)
额定电压：650V
额定电流：14A
Rds(on)：1.6mΩ
封装：TO-247-3L
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷 (Qg)：95nC
输入电容 (Ciss)：2800pF
NGTD14T65F2SWK 提供了卓越的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 高耐压能力（650V），可适应高压环境下的应用需求。
2. 极低的导通电阻（Rds(on) = 1.6mΩ），有效降低导通损耗，提升系统效率。
3. 支持高频开关操作，适合高动态响应场合。
4. 采用了坚固耐用的设计，能够在高温条件下（最高达 175℃）保持稳定运行。
5. 具备快速恢复二极管功能，优化了开关过程中的反向恢复性能。
6. 小巧的 TO-247-3L 封装形式有助于简化电路板布局并节省空间。
NGTD14T65F2SWK 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 电动车动力总成及车载充电器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 工业自动化设备中的高效电机驱动控制。
5. 高频 DC/DC 变换器以及各种需要高性能功率开关的应用场景。
NGTB14T65S2WKE, NGTD18T65F2SWK
