时间：2025/4/28 17:19:22
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NGTB30N65IHL2WG 是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它被广泛应用于各种高电压、大电流场景中，如电机驱动、电源转换和负载开关等。此芯片采用了符合行业标准的封装形式，并且具有良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极阈值电压：4V
功耗：72W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NGTB30N65IHL2WG 具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，最大支持 650V 的漏源电压。
2. 超低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适用于高频应用环境。
4. 强大的电流承载能力，能够持续提供高达 30A 的漏极电流。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种极端条件下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 高可靠性与长寿命，适合工业级和汽车级应用。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
3. UPS 系统和逆变器的核心功率输出部分。
4. 大功率 LED 驱动器以及负载切换模块。
5. 工业自动化设备中的电能管理单元。
6. 电动汽车及混合动力汽车的辅助系统中作为关键功率组件。
NTBG30N65L, IRFZ44N, STP30NF06L
