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NGTB25N120FLWG 发布时间 时间:2025/5/10 18:56:53 查看 阅读:20

NGTB25N120FLWG 是一款由 Nexperia(前身为 NXP 的标准产品业务部)生产的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用了 LFPAK88 封装形式,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款 MOSFET 具有出色的热性能和电气性能,能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。
  该型号的设计目标是提供一个具有竞争力的解决方案,以应对工业、汽车以及消费类电子领域的多样化需求。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ
  栅极电荷:49nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:LFPAK88
  功耗:300W

特性

NGTB25N120FLWG 的主要特点是其低导通电阻和高效的开关性能,这使得它非常适合用于需要最小化传导损耗的应用场景。此外,该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗,从而提高整体系统效率。
  由于采用了 LFPAK88 封装,NGTB25N120FLWG 提供了卓越的散热能力,并且易于安装在印刷电路板上。这种封装形式还支持更高的电流密度和更小的占位面积,使其成为紧凑型设计的理想选择。
  此外,该器件的工作温度范围宽广,能够在极端环境下保持稳定运行,这为设计工程师提供了更大的灵活性。

应用

NGTB25N120FLWG 广泛应用于多种领域,包括但不限于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统(BMS)、逆变器以及汽车电子系统等。
  在 DC-DC 转换器中,该器件可以作为主开关或同步整流器使用,从而实现高效的能量转换。在电机控制应用中,它可以驱动无刷直流电机(BLDC)或其他类型的电动机。对于负载开关而言,NGTB25N120FLWG 的低导通电阻可显著降低功率损耗。
  此外,这款 MOSFET 还适合用作电池保护电路中的开关元件,在电池管理系统中起到关键作用。

替代型号

NGTB50N120L2G, IRFZ44N, FDP18N10

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NGTB25N120FLWG参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)200 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.2V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值192 W
  • 开关能量1.5mJ(开),950μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷220 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值91ns/228ns
  • 测试条件600V,25A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)240 ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3