时间：2025/4/28 15:48:48
阅读：22
NGTB20N135IHRWG 是一款由 Nexperia 生产的增强型 N 沟道功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。其封装形式为 DPAK (TO-252)，适合表面贴装工艺，同时具备出色的热性能和电气性能。
该型号是工业级产品，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，满足多种工业应用需求。
最大漏源电压：135V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：160mΩ
栅极电荷：40nC
总电容：180pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
功耗：17.5W
NGTB20N135IHRWG 的主要特性包括：
1. 高电压承受能力：额定漏源电压高达 135V，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值仅为 160mΩ，在高频开关应用中能够显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和总电容设计使其具备快速的开关速度，有助于提高系统效率。
4. 工业级可靠性：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内正常工作，确保在恶劣环境下的稳定性。
5. 表面贴装封装：DPAK 封装便于自动化生产，同时提供良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足国际环保法规要求。
该 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或功率级开关。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各类负载切换应用，例如电池保护、继电器替代等。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统的辅助功率控制（需确认具体 AEC-Q101 认证情况）。
NTBG20N135H, IRF540N, FDP18N13E
