时间：2025/5/13 11:24:40
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NGTB20N120IHWG是一款由安森美（onsemi）生产的高压MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件具有低导通电阻和高雪崩能力的特点，适用于工业、电源管理和电机驱动等应用领域。
这款MOSFET的工作电压高达1200V，能够承受较高的反向电压，同时提供较低的导通损耗，非常适合开关电源、逆变器以及不间断电源（UPS）中的功率转换电路。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：1.35Ω
栅极电荷（典型值）：80nC
输入电容（典型值）：1620pF
开关时间（典型值）：ton=69ns, toff=89ns
工作结温范围：-55℃至175℃
NGTB20N120IHWG具备高耐压和低导通电阻的特性，确保了其在高压环境下拥有出色的效率表现。它采用了先进的制造工艺，使其具备以下特点：
- 极高的击穿电压（1200V），可应对极端条件下的电压波动。
- 较低的导通电阻（Rds(on)为1.35Ω），从而减少传导损耗。
- 良好的热稳定性，允许其在高温环境中持续运行。
- 高雪崩能量能力，增强系统在异常情况下的可靠性。
- TO-247封装设计，便于散热并简化PCB布局。
- 符合RoHS标准，满足环保要求。
该器件广泛应用于各种高压电力电子设备中，包括但不限于以下场景：
- 开关电源（SMPS）
- 太阳能逆变器
- 工业电机驱动
- 不间断电源（UPS）
- 电动车辆的DC/DC转换器
- 高频谐振变换器
- PFC（功率因数校正）电路
NTBG20N120IHWG, FGH20N120MD, IRGB20N120DPBF
