时间：2025/8/20 19:29:36
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NGTB15N60R2FG是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压、高电流的开关应用。这款MOSFET专为高效能电源转换系统而设计，具备高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点。
类型：N沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.42Ω（最大值0.52Ω）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
NGTB15N60R2FG具备多项优异特性，适合在高要求的电源管理应用中使用。其主要特性包括：
1. 高耐压能力：MOSFET的漏极-源极击穿电压高达600V，使其适用于高压电源转换和开关应用。
2. 低导通电阻：典型RDS(on)为0.42Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
3. 高可靠性设计：器件具有良好的热稳定性和长期耐用性，适用于高温环境下的运行。
4. 快速开关特性：该MOSFET支持快速的开关速度，减少开关损耗，提升整体性能。
5. 过载保护能力：能够承受一定的过载和瞬态电流，确保系统在异常条件下的稳定性。
6. 封装优势：TO-220封装形式便于散热，同时易于安装和维护。
NGTB15N60R2FG适用于多种电力电子系统，包括：
1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC适配器等，用于高效的能量转换。
2. 电机驱动器：用于控制电机的运行，特别是在工业自动化和家电控制中。
3. 照明系统：作为高频开关元件用于LED驱动或荧光灯镇流器中。
4. 不间断电源（UPS）：用于电源切换和电压调节，确保电力供应的连续性。
5. 电池管理系统：如电动汽车或储能系统中的充放电控制。
6. 工业控制系统：如PLC、变频器等设备中的功率开关。
STP16NF60FD, FQA16N60C, IRFBC30
