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NGD8205NT4 发布时间 时间:2023/10/31 9:59:58 查看 阅读:86

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-252-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 390 V
集电极—射极击穿电压: 350 V
集电极—射极饱和电压: 150 V
栅极/发射极最大电压: 15 V
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
栅极—射极漏泄电流: 125 W
功率耗散: 125 W
封装: Reel
配置: Single

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NGD8205NT4参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)390V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.9V @ 4.5V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20A
  • 功率 - 最大125W
  • 输入类型逻辑
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)