NGB18N40ACLBT4G 时间：2025/5/23 3:30:59 阅读：19

NGB18N40ACLBT4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理和功率转换应用。它能够承受高达 40V 的漏源电压，并提供最大 18A 的连续漏极电流。
　　这款功率 MOSFET 在设计时注重效率与性能的平衡，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的场合。

参数

漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，Vgs=10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：17nC（典型值）
　　总功耗（Ptot）：220W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NGB18N40ACLBT4G 提供了优异的电气性能和可靠性，其关键特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 较高的开关速度，支持高频操作，从而降低开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
　　5. 紧凑的 TO-263 封装形式，简化了 PCB 布局设计并提高了散热性能。
　　6. 广泛的工作温度范围，适应各种极端环境下的应用需求。

应用

该功率 MOSFET 可用于多个领域的实际应用中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关管。
　　2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护电路。
　　3. 各类电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 汽车电子系统中的大电流开关组件。
　　6. 其他需要高效功率切换的应用场景。