NGA-489Z 时间：2025/12/28 13:15:45 阅读：13

NGA-489Z 是一款由日本电气公司（NEC）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件采用高密度沟槽技术，提供低导通电阻和高功率处理能力，适用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源开关以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（在VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247AD

特性

NGA-489Z 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽MOSFET结构，使得在高电流条件下仍能保持稳定的性能。此外，NGA-489Z 具有良好的热稳定性，能够在高功率工作环境下保持较低的温度上升，从而延长器件的使用寿命。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，漏-源电压最大可达60V，适用于多种中高压功率应用。该MOSFET的栅极设计允许高达±20V的栅源电压，提高了其在不同驱动电路中的适应性。此外，TO-247AD封装提供了良好的散热性能，确保在高电流应用中仍能维持稳定运行。
　　NGA-489Z 还具备快速开关能力，适用于高频开关电源设计，减少开关损耗。其封装设计符合工业标准，便于在多种电路板布局中进行安装和替换。