NFSW157A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的射频(RF)开关芯片,广泛应用于无线通信、射频前端模块、天线调谐系统以及各种射频开关控制电路中。该器件采用了先进的硅基单片工艺,具有低插入损耗、高隔离度和宽频率范围的特性,适用于多频段、多模式的射频系统设计。
工作频率:DC ~ 6 GHz
插入损耗:典型值0.35 dB(频率范围2.5 GHz以下)
隔离度:典型值20 dB @ 2.5 GHz
工作电压:2.5V ~ 5.5V
控制电压:兼容1.8V ~ 5V逻辑电平
封装形式:10引脚DFN(3mm x 3mm)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
NFSW157A 是一款高性能的单刀双掷(SPDT)射频开关,具备出色的射频性能与宽泛的工作电压范围,适用于多种无线通信应用场景。该器件的频率范围覆盖从直流到6 GHz,使其能够广泛应用于蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、GPS以及物联网(IoT)设备中。其插入损耗在2.5 GHz以下频率范围内仅为0.35 dB,确保了信号传输的完整性;同时,在相同频率下具有高达20 dB的隔离度,有效减少了不同信号路径之间的串扰。
该芯片采用了10引脚DFN封装,尺寸小巧,仅为3mm x 3mm,非常适合空间受限的便携式设备和高密度电路板设计。其工作电压范围为2.5V至5.5V,并且控制引脚兼容1.8V至5V的逻辑电平,极大增强了其在不同系统架构中的兼容性与灵活性。NFSW157A 支持-40°C至+85°C的宽温度范围,确保其在极端环境下的稳定运行。
此外,NFSW157A 还具有低功耗特性,适用于电池供电设备。其控制接口简单,仅需一个控制信号即可切换射频路径,简化了系统设计和控制逻辑。
NFSW157A 主要用于无线通信系统中的射频信号路径切换,包括但不限于以下应用场景:蜂窝通信基站和用户终端设备(如智能手机、平板电脑)、Wi-Fi路由器和接入点、蓝牙低功耗(BLE)模块、ZigBee和IoT设备、GPS接收机前端切换、射频测试设备和测量仪器、可穿戴设备中的多频段射频前端管理等。其高隔离度和低插入损耗特性使其特别适合用于需要高质量信号切换的射频系统中。
HMC649ALC4B, PE4259, SKY13350-345LF, RF1279