NEP250 是一款由 NEC(日本电气公司)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率开关应用。这款器件具有高耐压和高电流能力,适用于各种工业电源、电机驱动器和开关电源(SMPS)系统。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):250V
漏极-栅极电压(Vdg):250V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
功耗(Pd):62.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
NEP250 MOSFET具备优异的导通电阻特性,使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件采用了先进的平面技术,确保了较高的稳定性和可靠性。其封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,适合在高功率密度应用中使用。
此外,NEP250还具有较强的抗过载能力,能够承受短时间内的高电流冲击。这种特性使其在电机驱动和电源管理应用中表现尤为出色。器件的栅极驱动要求较低,适合与多种控制电路兼容,进一步提高了其适用性。
NEP250 MOSFET主要应用于高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、电机控制器、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备。由于其高电压和高电流特性,该器件也非常适合用于电力调节和能量转换系统中,例如太阳能逆变器和电动车控制系统。
IRF630, FDP250, 2SK1530