时间：2025/8/11 3:04:03
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NE85633-T1B-A 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、低噪声放大器（LNA，Low Noise Amplifier），广泛用于无线通信系统中的射频（RF）前端模块。该器件采用双极性晶体管技术制造，具备高增益、低噪声系数和优异的线性度性能，适用于多种高频应用。NE85633-T1B-A 封装为SOT-23形式，便于在紧凑的PCB设计中使用。
工作频率范围：400 MHz 至 1000 MHz
增益（典型值）：20 dB
噪声系数（典型值）：1.5 dB
输出三阶交调截距（OIP3，典型值）：20 dBm
输入三阶交调截距（IIP3，典型值）：8.5 dBm
电源电压（Vcc）：3 V 至 12 V
工作电流（Icc，典型值）：10 mA
封装类型：SOT-23
NE85633-T1B-A 以其低噪声系数著称，能够在微弱信号环境下保持高灵敏度，这对于无线通信接收器至关重要。其噪声系数在典型工作条件下仅为1.5 dB，这使得该放大器非常适合用于需要高信号保真度的应用场景，如蜂窝通信、无线局域网（WLAN）和广播接收器。
此外，该器件具有20 dB的高增益，在射频信号链中能够有效提升信号强度，减少后续电路对信号的处理压力。其OIP3和IIP3性能也表现优异，分别为20 dBm和8.5 dBm，说明该放大器具备良好的线性度，能够有效降低非线性失真带来的干扰，特别是在多频信号环境下表现出色。
NE85633-T1B-A 的电源电压范围较宽，支持3 V至12 V的供电，适用于不同电源架构的设计需求。在典型工作条件下，其工作电流仅为10 mA，有助于降低整体功耗，提升系统能效。
该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于集成到高密度PCB布局中，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围。
NE85633-T1B-A 主要应用于无线通信设备的射频前端模块，例如蜂窝基站、无线接入点（WAP）、GPS接收器、广播接收设备和测试测量仪器等。在这些应用中，它作为低噪声前置放大器，用于放大微弱的射频信号并尽量减少噪声的引入，从而提升系统的整体接收性能。此外，该器件也可用于无线传感器网络和物联网（IoT）设备中的射频信号增强模块，以提高信号的传输距离和稳定性。在一些要求高线性度和低噪声的射频接收系统中，NE85633-T1B-A 是一个非常可靠的选择。
NE85634-T1B-A, BFG425W, BFQ530, MAX2641
