类型：射频混频器/振荡器/LNA组合IC
　　封装：SOIC-8
　　供电电压：4.5V 至 6V 典型值5V
　　静态电流：约2.8mA @ 5V
　　工作频率范围：300MHz 最大输入频率
　　混频器转换增益：典型值15dB
　　本振输出电平：约-10dBm
　　输入阻抗（IN引脚）：约1.5kΩ 并联10pF
　　推荐振荡频率范围：50kHz 至 200MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　增益控制特性：无自动增益控制（AGC）
　　噪声系数：典型值6dB（作为LNA使用时）

NE602AD-T的核心特性之一是其高度集成化的射频前端功能模块，将低噪声放大器（LNA）、双平衡混频器和片上振荡器整合于单一芯片之中，显著减少了外部元件数量并降低了PCB布局复杂度。其内部LNA设计针对高阻抗源进行了优化，通常通过一个电感与天线电路谐振匹配后直接驱动IN引脚，在AM广播频段或短波接收应用中表现出优异的灵敏度和信噪比性能。混频部分基于经典的Gilbert单元结构，具备良好的端口隔离性和动态范围，能够有效抑制局部干扰信号和镜像频率成分。当用于下变频时，该混频器可提供高达15dB的转换增益，远优于传统无源混频器需额外增加中频放大级的设计方案。
　　另一个关键特性是其片上振荡器电路，支持晶体控制模式或LC谐振回路模式，允许用户灵活选择稳频方式。在晶体模式下，XIN与XOUT之间连接石英晶体即可构成皮尔斯振荡器，常用于需要高频率稳定性的场合；而在LC模式下，则可通过外接电感和可变电容实现调谐功能，适用于宽带扫描接收机设计。振荡信号内部缓冲后驱动混频器核心，确保驱动强度足够且相位噪声较低。值得注意的是，NE602AD-T的电源抑制能力相对有限，因此在实际应用中建议使用稳压电源并在VCC引脚附近配置适当的去耦电容（如0.1μF陶瓷电容与10μF电解电容并联），以防止电源噪声耦合到敏感的RF路径中。
　　该器件对输入信号电平有一定要求，过高的射频输入可能导致混频器饱和失真，因此在强信号环境中常需加入前置滤波器或衰减网络。同时，由于缺乏内置的自动增益控制（AGC）机制，系统级增益管理必须依赖外部电路完成。尽管如此，NE602AD-T凭借其成熟可靠的设计、丰富的应用文档支持以及长期稳定的供货记录，仍然是许多模拟射频工程师首选的基础元器件之一。

NE602AD-T广泛应用于各类模拟射频接收系统中，尤其适合构建超外差式或直接变频式接收机的前端模块。典型应用场景包括便携式短波收音机、业余无线电台（HAM Radio）、调幅（AM）广播接收器、无线遥测设备、低功率数据传输终端以及教育实验用射频开发板。在这些系统中，NE602AD-T通常作为第一级混频器使用，将接收到的射频信号与本地振荡信号混合，输出固定频率的中频（IF）信号，随后送入专用中频放大器（如LM386、MC3361）或陶瓷滤波器进行进一步处理。
　　在软件定义无线电（SDR）入门套件中，NE602AD-T也常被用作低成本的上变频或下变频单元，配合Arduino、Raspberry Pi等微控制器平台实现基本的频谱感知功能。此外，它还可用于构建简单的锁相环（PLL）合成器前端，或者作为本地振荡源驱动其他混频芯片。由于其工作频率可达数百兆赫兹，因此在VHF频段（30MHz–300MHz）内的无线麦克风监听、航空波段接收、气象卫星信号捕获等领域也有实际应用案例。
　　在教学与科研领域，NE602AD-T因其原理清晰、外围电路简洁而成为电子工程专业高频电路课程的经典实验器件，帮助学生理解混频原理、振荡器设计、阻抗匹配及噪声分析等核心概念。即使在现代高度集成的收发器芯片普及的背景下，NE602AD-T仍然因其透明的内部工作机制和易于调试的特点，在原型验证和故障排查中发挥着不可替代的作用。

SA602AD, SA602AN, MC3362P, LM3089N, MAX1472