类型：电流模式PWM控制器
　　封装：DIP-8/SOP-8
　　工作电压范围：16V～30V（典型启动电压16V，关闭电压10V）
　　最大占空比：约100%（依赖于具体配置）
　　开关频率：最高可达500kHz（由外部RT/CT电阻电容设定）
　　参考电压：5V ±2%（用于内部偏置）
　　启动电流：≤1mA
　　工作电流：约10mA（典型值）
　　输出驱动能力：图腾柱输出，峰值拉/灌电流约200mA
　　过压保护（OVP）：具备输入过压保护功能
　　欠压锁定（UVLO）：内置，开启16V，关闭10V
　　电流检测输入阈值：1V（典型值，用于逐周期限流）

NE5241N的核心特性之一是其内置的高压启动电路，能够在上电时通过外部高压电阻直接从整流母线获取能量为芯片供电，从而省去了辅助绕组的设计，简化了电源结构并降低了成本。这种自启动机制特别适用于低功耗反激式电源，如手机充电器和小型适配器。
　　该芯片采用电流模式控制架构，具有良好的动态响应和环路稳定性，并支持逐周期电流限制功能。通过将主开关管的电流信号接入CS引脚，当检测到的电压达到1V阈值时，立即关断驱动输出，有效防止过流损坏。这一特性提升了系统的安全性和可靠性，尤其在负载突变或短路情况下表现出色。
　　NE5241N集成了精密的5V基准电压源，用于为内部电路供电和提供外部偏置电压。该基准具有低温度漂移和高稳压精度（±2%），可驱动外部光耦等反馈元件，配合TL431构成典型的闭环反馈系统，实现稳定的输出电压调节。
　　芯片内部设有完善的保护机制，包括欠压锁定（UVLO），确保只有在供电电压稳定后才启动工作，避免了低压下的异常运行；同时具备过压保护功能，防止因反馈回路失效导致输出电压失控。此外，其振荡器频率由外部电阻和电容精确设定，支持频率微调和噪声抑制设计。
　　由于采用了图腾柱输出结构，NE5241N能够快速驱动MOSFET栅极，减少开关损耗，提高整体效率。输出上升和下降时间较短，适合高频开关应用。整体设计兼顾了性能、可靠性和成本，使其成为中小功率开关电源中的主流选择之一。

NE5241N主要用于中小功率的开关电源系统，典型应用场景包括：交流转直流（AC-DC）适配器，如笔记本电脑、路由器、打印机等设备的外置电源；手机充电器，特别是5V/1A至5V/2A的小功率充电方案；家用电器中的辅助电源模块，如电视、音响、机顶盒等设备的待机电源；LED照明驱动电源，尤其是非隔离或反激式隔离型LED恒压驱动电路；工业控制设备中的小功率直流电源单元。
　　在这些应用中，NE5241N通常被配置为反激式拓扑结构的主控芯片，通过外部变压器实现电气隔离和电压变换。它接收来自次级侧的反馈信号（常通过光耦和TL431组合），调节PWM占空比以维持输出电压稳定。其内置的高压启动功能减少了外围元件数量，提高了系统集成度。
　　此外，该芯片也可用于设计离线式电池充电电路、POS机电源模块以及智能家居设备的嵌入式电源系统。由于其具备较强的抗干扰能力和温度稳定性，适合在较为复杂的电磁环境中长期运行。对于要求高性价比且不需要复杂数字控制功能的应用，NE5241N是一个成熟可靠的模拟PWM控制器选项。

UC3842
　　UC3843
　　KA3842
　　SG3842
　　LM3842