型号：NE5212
　　制造商：NJR（New Japan Radio）
　　器件类型：双运算放大器
　　通道数：2
　　电源电压（单电源）：3V 至 36V
　　电源电压（双电源）：±1.5V 至 ±18V
　　输入偏置电流：典型值 50nA
　　输入失调电压：典型值 2mV
　　输入失调电流：典型值 5nA
　　开环电压增益：典型值 100dB
　　增益带宽积（GBW）：典型值 4MHz
　　转换速率（Slew Rate）：典型值 2.5V/μs
　　单位增益稳定：是
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　静态电流（每通道）：典型值 1.2mA
　　共模抑制比（CMRR）：典型值 90dB
　　电源抑制比（PSRR）：典型值 90dB
　　输出电流：最大 ±20mA
　　封装形式：SOP8、DIP8

NE5212具备出色的直流精度性能，其输入失调电压仅为2mV（典型值），且具有较低的温度漂移特性，保证了在不同环境温度下仍能维持高测量精度。这一特性使其非常适合用于精密信号采集系统，例如压力传感器、热电偶放大器和应变桥接口电路中。该运放的高开环增益（100dB以上）确保了闭环应用中的增益误差极小，提升了系统的线性度和稳定性。
　　在交流性能方面，NE5212拥有4MHz的增益带宽积和2.5V/μs的压摆率，能够在中频范围内实现快速响应，适用于音频前置放大、有源滤波器和谐振电路等应用。其单位增益稳定设计允许用户在电压跟随器配置下安全使用，而不会引发自激振荡问题。同时，该器件具备良好的相位裕度和稳定性补偿机制，即使驱动容性负载也能保持可靠工作。
　　NE5212的输入级采用双极性晶体管结构，提供较低的输入噪声密度（典型值约20nV/√Hz），显著优于许多通用运放。这种低噪声特性对于微弱信号放大至关重要，尤其是在医疗电子设备或高灵敏度检测仪器中。此外，其高共模抑制比（90dB）和电源抑制比（90dB）有效降低了来自共模干扰和电源波动的影响，增强了系统抗干扰能力。
　　该芯片支持宽电压范围操作，既可在单电源3V至36V下运行，也可在双电源±1.5V至±18V条件下使用，极大提升了其在不同供电架构中的兼容性。低静态电流（每通道1.2mA）则有助于降低功耗，适合电池供电的应用场景。NE5212还具备过载保护功能，防止输出短路或过压情况下的损坏，提高了整体系统可靠性。

NE5212广泛应用于需要高精度和低噪声放大的电子系统中。在工业自动化领域，常用于各类传感器信号调理电路，如温度、压力、流量和湿度传感器的前端放大，确保原始信号在传输前得到有效增强并减少失真。其高输入阻抗和低偏置电流特性使其能够直接连接高阻抗传感器输出，无需额外缓冲级。
　　在测试与测量设备中，NE5212被用于示波器、数据采集系统和数字万用表的模拟前端，承担信号预处理任务。其稳定的增益特性和低非线性误差有助于提高测量精度。此外，在便携式仪器中，得益于其低功耗和宽电源范围，可延长电池使用寿命。
　　音频电子设备也是NE5212的重要应用场景之一。它可用于麦克风前置放大器、耳机驱动电路和主动降噪模块中，提供清晰、低失真的声音再现。其低噪声和高保真特性使得音频信号在放大过程中保持原始动态范围。
　　在医疗电子设备中，NE5212可用于生物电信号采集系统，如心电图（ECG）、脑电图（EEG）和肌电图（EMG）的前置放大器设计。这些应用对共模抑制能力和电磁兼容性要求极高，而NE5212的高性能指标正好满足此类需求。
　　此外，该器件还可用于有源滤波器、电压跟随器、积分器、微分器等标准运算电路设计，作为通用高性能运放替代方案，在教育实验平台和嵌入式控制系统中也有广泛应用。

NJM5212D
　　NJM5212M